Samsung MZ-N5E500BW

Samsung MZ-N5E500BW

d_178

Новое

В наличии

₽11 390
Кол-во

Особенности технологии 3D V-NAND
В обычной флэш-памяти типа NAND ячейки, в которых хранится информация, плоские. Такую память просто изготавливать, но она обладает рядом недостатков: для повышения ёмкости чипа приходится уменьшать размеры ячеек, что увеличивает их влияние друг на друга и снижает надёжность хранения информации. SSD накопители Samsung изготавливаются с использованием инновационной архитектуры 3D V-NAND, в которой ячейки имеют цилиндрическую форму, устраняющую влияние их друг на друга, а увеличение ёмкости достигается за счёт расположения их в несколько слоёв — без ущерба для надёжности хранения данных и скорости работы. Чипы памяти в накопителях серии 850 EVO имеют 32 слоя ячеек, расположенных друг над другом. Такая конструкция позволяет создать память, одновременно ёмкую, быструю и надёжную.
Уникальная технология TurboWrite - непревзойдённая скорость обмена данными
Обеспечьте максимальную скорость чтения / записи, для оптимизации скорости выполнения рутинных задач с технологией TurboWrite от компании Samsung. По сравнению с серией 840 EVO, накопители серии EVO 850 показывают на 13% более высокий уровень производительности, благодаря более высокой скорости (около 2-х раз) случайной (random) записи. Они так же обеспечивают высочайшую производительность в своем классе и с последовательной (sequential) скоростью чтения и записи, обеспечивая результат в 540 МБ/с и 520 MБ/с соответственно. Наслаждайтесь оптимизированной случайной (random) производительностью на всех диапазонах глубины очереди (QD) на ПК.

Ни одного отзыва на данный момент.

<

Похожие товары